无机化学及其化合物制造及其合成,应用技术
  • 一种热场坩埚保温装置及其使用方法与流程
    本发明属于热场坩埚,具体涉及一种热场坩埚保温装置及其使用方法。热场就是热系统。在机械中一般指单晶炉热场,就是单晶炉中的热系统。坩埚是化学仪器的重要组成部分,它是熔化和精炼金属液体以及固液加热、反应的容器,是保证化学反应顺利进行的基础。保温装置是制备一些半导体材料时所用的热场坩埚的重...
  • 本发明涉及晶体材料加工,具体涉及一种4吋蓝宝石晶体退火方法。蓝宝石晶体生长周期周期长,晶体尺寸大,晶体内会存在大量的内应力,晶格畸变严重,光学均匀性差,需要对晶体进行合理的退火处理,能够有效的消除弹性形变和晶体畸变,减小晶体的热应力,减少晶体缺陷。对于大尺寸晶棒,由于晶棒两端距离较...
  • 交流退火制备FeSe多晶界超导薄膜的方法与流程
    本发明涉及超导,尤其涉及fese多晶界超导薄膜及其制备方法。高温超导体是一类不能用传统的bcs理论解释的非常规超导体。1986年,米勒和贝德诺尔茨首次发现了铜氧化合物高温超导体。2008年,日本科学家首次发现了铁基高温超导体。由于铁基高温超导体的超导转变温度最高值远低于铜氧化物高温...
  • 一种高质量硒化铋单晶体的制备方法与流程
    本发明属于拓扑绝缘体材料的制备及应用领域,具体的说涉及一种基于化学气相传输法(chemicalvaportransport简称cvt)制备高质量硒化铋单晶体的方法。拓扑绝缘体是一种新的量子物质态,完全不同于传统意义上的金属和绝缘体,其体态是有能隙的绝缘态,表面态则是无能隙的金属态,表面态受...
  • 基于轴向磁场耦合机械振动制备太阳能级多晶硅的方法与流程
    本发明属于硅材料制备领域,特别涉及一种利用外场调控制备太阳能级多晶硅的方法。随着光伏产业的快速发展,对作为太阳能电池原材料的太阳能级硅的需求大幅度提高。近年来,冶金硅被直接用于制备太阳能级多晶硅受到越来越多的关注。这种多晶硅能够用便宜的原材料制备而成,同时也能获得类似于以单晶硅为原材料的大...
  • 一种基于轴向磁场及超声处理制备太阳能级多晶硅的方法与流程
    本发明属于硅材料制备领域,特别涉及一种利用外场调控制备太阳能级多晶硅的方法。随着光伏产业的快速发展,对作为太阳能电池原材料的太阳能级硅的需求大幅度提高。近年来,冶金硅被直接用于制备太阳能级多晶硅受到越来越多的关注。这种多晶硅能够用便宜的原材料制备而成,同时也能获得类似于以单晶硅为原材料的大...
  • 一种新型太赫兹辐射源的实现方法与流程
    本发明涉及太赫兹功能材料领域,尤其涉及一种新型太赫兹辐射源的实现方法。太赫兹(terahertz,thz)波是电磁波谱中位于0.1thz-10thz频段中的电磁波,对应波长在30-3000μm,也被称为亚毫米波。该频段具有很多独特的性质,比如较低的光子能量(0.4-40mev),对非极性材...
  • 快速制备碳化硅的方法与流程
    本发明涉及碳化硅制备方法,尤其涉及一种快速制备碳化硅的方法。碳化硅是一种重要的宽禁带半导体材料,由于其禁带宽度大,高热导率、高高击穿电场、高的化学稳定性、高电子饱和迁移速率的特点,使其广泛应用于高频、高效、耐高压、耐高温、抗辐射等电力电子领域,其也是第五代移动通信的基础材料之一。由...
  • 一种导模法生长封口蓝宝石管的装置和方法与流程
    本发明属于晶体材料制备,涉及一种导模法生长封口蓝宝石管的模具及生长工艺技术。蓝宝石(sapphire)是一种氧化铝(α-al2o3)的单晶,又称刚玉,是一种具有集优良光学、物理和化学性能的独特结合体。作为最硬的氧化物晶体,人造蓝宝石由于其光学和物理特性而被运用于各种要求苛刻的领域,...
  • 能够提高收尾成功率的单晶炉收尾方法与流程
    本发明属于单晶硅生产,具体涉及一种能够提高收尾成功率的单晶炉收尾方法。利用直拉单晶炉生产单晶硅棒工艺过程中,晶体等径生长完成后,如果将晶体与熔液立即分开,因热应力原因会在晶体中产生位错和滑移线,并延晶体向上延伸,其延伸长度可达晶体一个直径,为了避免这种情况发生,必须将晶体直径慢慢缩...
  • 一种拉晶装置、设备及方法与流程
    本发明涉及硅片加工制造领域,特别涉及一种拉晶装置、设备及方法。在大尺寸单晶硅的生长过程中,可以通过引入磁场来抑制单晶硅生长过程中硅熔液的对流,进而来减小对硅晶体生长固液界面的影响,最终保证硅晶体生长的稳定性。在硅晶体生长过程中,坩埚内的温度会逐步产生变化,硅熔液(或称为熔体)的对流也会逐步...
  • 一种自动称重晶体提拉生长装置的制作方法
    本发明涉及晶体生长,具体涉及一种自动称重晶体提拉生长装置。晶体生长炉是常用的一种晶体生长设备。在生产晶体时,一般考虑晶体的提升速度对晶体的质量的影响,但并未考虑晶体的转速对晶体的质量的影响。而且现有技术中的晶体生长炉的温度梯度固定,不能根据实际要求进行调节。发明内容基于存在...
  • 一种用于晶体生长的坩埚底座装置的制作方法
    本发明涉及晶体生长,具体而言涉及一种用于晶体生长的坩埚底座装置。随着集成电路(integratedcircuit,ic)产业的迅猛发展,器件制造商对ic级硅单晶材料提出了更加严格的要求,而大直径单晶硅是制备器件所必须的衬底材料。提拉法(czochralski,cz法)是现有技术中由...
  • 一种大尺寸晶体生长单晶炉的制作方法
    本发明涉及半导体制备装置领域,更具体而言,涉及一种大尺寸晶体生长单晶炉。现有的vgf或者vb晶体生长炉的加热器都是采用一组或多组圆柱形外围排布,通过对保温材料的调整及结构实现对熔体及晶体生长温度的调整。最终达到实现控制晶体生长的目的。但是由于保温材料的保温性能在晶体生长的过程中一直处于基本...
  • 一种基于VGF法的减少GaAs晶体孪晶的装置的制作方法
    本发明涉及半导体制备装置,更具体而言,涉及一种基于vgf法的减少gaas晶体孪晶的装置。砷化镓(gaas),属ⅲ-ⅴ族化合物半导体,由砷和镓两种元素化合而成,外观呈亮灰色,具金属光泽、性脆而硬,是当代国际公认最成熟的第二代化合物半导体材料,具有高频率、高电子迁移率、高输出功率、低噪...
  • 一种提高单晶结晶质量的方法与流程
    本发明属于晶体生长特殊工艺处理领域,涉及一种提高单晶结晶质量的方法,更具体地,涉及一种提高溴铅铯(cspbbr3)单晶结晶质量的方法。x射线、y射线等高能粒子在现在社会各个领域都发挥着重要的作用,如医疗、军事、航空航天、工业探伤等等。随着应用范围的扩大及应用要求的提高,对高能核辐射探测器的...
  • 一种晶体生长炉的制作方法
    本发明涉及晶体生长,具体涉及一种晶体生长炉。使用晶体生长炉生产不同晶体时,需要不同的温度场,而一般的晶体生长炉的温度场一般固定不能根据所要生长的晶体进行调节。发明内容基于存在的技术问题,本发明提出的一种晶体生长炉,以自动调节温度梯度。本发明提出的一种晶体生长炉,包括炉体,炉...
  • 一种织网状的钙钛矿及其制备方法和应用与流程
    本发明属于钙钛矿材料制备,特别涉及一种织网状的钙钛矿及其制备方法和应用。近些年,能源?;晌嗣秦酱饩龅囊桓鲋匾侍?。因钙钛矿材料展现出独特的性能,使其为太阳能电池制备注入了新的活力。尤其是面对太阳能转化这一严峻的挑战,钙钛矿材料能够吸收利用太阳光这一绿色能源来有效提高太阳能电池...
  • 一种具有密实晶胞堆积结构的共自组装炸药及其制备方法与流程
    本发明涉及高能炸药晶体构筑技术,具体涉及一种具有密实晶胞堆积结构的共自组装炸药及其制备方法。现代武器对含能材料提出了“精确打击、高效毁伤、高生存能力及环境适应性”等更高要求,致使传统含能材料面临严峻挑战。2017年初,金属氢和n5-离子的成功制备,使含能材料学科受到了更多的关注。追求高能量...
  • 用于火药的药柱自动包覆装置的制作方法
    本发明涉及火炸药生产设备领域,尤其是一种用于火药的药柱自动包覆装置。在火炸药、民爆行业,火药包覆工艺是指通过流道设计,在药柱的表面包覆另一种材料即包覆层,火药包覆工艺有助于改善火药的弹道性能,提高火药的燃烧渐增性,降低火药温度系数,提升弹道初速度。目前主要的包覆方式有三种:全包覆、侧面包覆...
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